삼성전자, 1c D램 재설계 난항…샘플 테스트 '연기'
삼성전자가 10나노급 6세대(1c) D램 재설계에 난항을 겪으면서 샘플 생산테스트가 연기됐다. 과거 극자외선(EUV) 노광 장비 도입 이후 지속돼 온 캐패시터 리키지(누설 전류) 현상을 해결하고, 수율을 높이고자 칩 사이즈를 확대했으나 여전히 뚜렷한 개선이 이뤄지지 않고 있기 때문이다. 당초 회사 측이 1c 공정을 기반으로 한 HBM4를 올 하반기부터 ...
