SK하이닉스, EUV 투자 3배 확대…1c D램 강화
SK하이닉스가 선단 공정인 10나노급 6세대(1c) D램 경쟁력 강화에 속도를 내고 있다. 해당 공정에 활용될 극자외선(EUV) 장비 투자도 당초 계획보다 3배가량 확대했다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 올해 샘플 납품을 목표로 하는 7세대 고대역폭메모리(HBM) HBM4E 코어 다이에 적용될 1c D램 기술 고도화에 집중하고 있다. HBM 최대 고객사...
